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壓敏電阻采購(gòu)，就選源林電子，廠家直銷(xiāo)
ZnO晶相位于晶粒體內(nèi)，為低電阻率的半導(dǎo)體，對(duì)大電流特性有決定性作用。ZnO半導(dǎo)化的原因主要是氧不足導(dǎo)致的非化學(xué)計(jì)量比和施主摻雜，有大量的導(dǎo)電電子存在，為n型半導(dǎo)體。富鉍相，約在750℃形成12/14 Bi2O3
·Cr2O3 ，溫度低于850℃參與形成焦綠石相，超過(guò)850℃后從焦綠石相中分離出來(lái)，生成含
Cr的富鉍相，含有尖晶石相和Zn，隨著溫度的升高，Cr逐步移到尖晶石相中。
Cr有穩(wěn)定尖晶石相的作用，高溫冷卻時(shí)，可以阻止生成焦綠石相。 焦綠石相700-900℃時(shí)形成，850℃時(shí)達(dá)到峰值，約950℃時(shí)消失，
反應(yīng)式如下
2Zn2Bi3Sb3O 14+ 17ZnO ——3Zn7Sb2O 12+ 3Bi2O3
由于壓敏電阻型號(hào)太多，篇幅有限，恕不一一呈現(xiàn)，欲知詳請(qǐng)，歡迎撥打圖片中的咨詢(xún)電話(huà)與我們源林電子聯(lián)系，謝謝！
壓敏電阻采購(gòu)，就選源林電子，廠貨直供
殘壓比KR
通過(guò)壓敏電阻器的電流為某一值時(shí)，在它兩端所產(chǎn)生的電壓稱(chēng)為這一電流值的殘壓。殘壓比則是殘壓與標(biāo)稱(chēng)電壓之比。
殘壓比KR的定義公式為：
KR =UR/UN
殘壓比可以比較直觀地反應(yīng)出壓敏電阻限制過(guò)電壓的能力，在壓敏材料的研究工作中已得到廣泛的應(yīng)用，在防雷壓敏電阻、避雷器閥片和高能型壓敏電阻閥片中以成為標(biāo)準(zhǔn)電性能參數(shù)。
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壓敏電阻采購(gòu)，就選源林電子，個(gè)性化定制，廠家直銷(xiāo)
zno壓敏電阻是半導(dǎo)體電子陶瓷器件，主要功能是 識(shí)別和限制瞬態(tài)過(guò)電壓，反復(fù)使用而不損壞。它的電流 （Ｉ）—電壓（Ｕ）特性是非線(xiàn)性的，與穩(wěn)壓二極管相似。 但與二極管不同，壓敏電阻能限制的過(guò)電壓在兩個(gè)極性上 相等，于是呈現(xiàn)的 Ｉ－Ｕ 特性很象兩個(gè)背對(duì)背的二極管。 壓敏電阻能用于交流和直流電場(chǎng)，電壓范圍從幾伏到幾千 伏，電流范圍從毫安到幾千安。壓敏電阻還附加有高能量 吸收能力的特性，范圍從幾焦耳到幾千焦耳。它的通用性 使得壓敏電阻在半導(dǎo)體工業(yè)和電力工業(yè)都有應(yīng)用。 ＺｎＯ 壓敏電阻是用半導(dǎo)體 ＺｎＯ 粉末和其它氧化物粉末 如：Ｂｉ、Ｓｂ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｓｉ 等經(jīng)過(guò)混合、壓型和燒 結(jié)工藝而制成。得到的產(chǎn)品是具有晶界特性的多晶陶瓷， 這一邊界特性決定了壓敏電阻的非線(xiàn)性?。桑铡√匦?。 ＺｎＯ 壓敏電阻的基本特性包括電學(xué)特性、物理特性和 化學(xué)特性。微觀結(jié)構(gòu)是體現(xiàn)這些性質(zhì)的媒介，是 ＺｎＯ 壓敏 電阻的基礎(chǔ)。
源林電子是一家專(zhuān)業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)壓敏電阻的高科技電子元器件企業(yè)。主營(yíng)壓敏電阻、熱敏電阻和溫度傳感器，自有研發(fā)團(tuán)隊(duì)，廠家直銷(xiāo)！
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